Nuova DRAM da 128 megabyte

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COREA DEL SUD – Seul 29/11/2015. La Samsung Electronics ha avviato la produzione di massa dei moduli della Dynamic Random Access Memory da 128 gigabyte (Dram) per i “server enterprise” utilizzando una tecnologia a pacchetto tridimensionale “through silicon via” (Tsv) per la prima volta nel settore.

Il chip-based Tsv può aumentare significativamente la trasmissione del segnale e l’efficienza energetica per la sua struttura. Pacchetti di chip convenzionali collegano “stack die” con “wire bonding”, mentre la tecnologia Tsv permette ai “dies” di essere impilati uno sopra l’altro attraverso fori sottili. L’ultimo modulo Dram ha la più grande capacità e la più alta efficienza energetica rispetto a tutti i moduli concorrenti, secondo Samsung. Lo sviluppo segue l’uscita del primo prodotto Dram da 64-gigabyte 3-D al mondo nel 2014; velocità di elaborazione e di storage sono starti raddoppiati con una maggiore efficienza energetica. Il modulo da 128 gigabyte sarà utilizzato principalmente dagli utenti di livello enterprise, come i data center, riporta il Korea JoongAng Daily.